硒化钨拉曼光谱层数效应

光散射学报 ›› 2016, Vol. 28 ›› Issue (1) : 12-15. DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201601004

硒化钨拉曼光谱层数效应

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Raman Spectrum Effect of Layer-WSe₂

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应用键弛豫理论（BOLS）对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析，得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系。澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因：硒化钨层数增加时，拉曼振动模A_1g发生蓝移是由于最近邻原子的影响；成建原子控制着硒化钨拉曼E¹_2g模和B¹_2g模的红移。

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杨学弦1，张峰1，刘理军1，廖文虎1，刘永辉2，莫贤通1，冯晶1. 硒化钨拉曼光谱层数效应. 光散射学报. 2016, 28(1): 12-15 https://doi.org/10.13883/j.issn1004-5929.201601004

. Raman Spectrum Effect of Layer-WSe₂. Chinese Journal of Light Scattering. 2016, 28(1): 12-15 https://doi.org/10.13883/j.issn1004-5929.201601004

国家自然科学基金（ 11447237），湖南省自然科学基金（2015JJ6094）

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