锇在高压下发生电子拓扑转变的拉曼谱学证据

刘静仪, 张雷雷, 吴彬彬, 陶雨, 范春梅, 雷力

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光散射学报 ›› 2023, Vol. 35 ›› Issue (1) : 1-7. DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.202301001

锇在高压下发生电子拓扑转变的拉曼谱学证据

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Raman spectroscopic evidence of an electron topological transition in osmium at high pressure

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2023, 35(1): 1-7 https://doi.org/10.13883/j.issn1004-5929.202301001
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2023, 35(1): 1-7 https://doi.org/10.13883/j.issn1004-5929.202301001

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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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